作者GoOnDino (Cyborg Ring)
看板Examination
標題[考題]中華電信102機務類專(四)一 計概&電子學 選擇51
時間Mon Jul 15 20:32:44 2013
51.
有關加強型金屬氧化半導體的場效電晶體(E-MOSFET)之特性，下列何者正確？
1.在歐姆區時，具有低電阻的特性
2.在歐姆區時，具有高電阻的特性
3.在作用區時，具有低電阻的特性
4.在截止區時，具有低電阻的特性
答案是1.
有誰可以解釋為什麼?
感謝
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 114.40.230.86
噓 Raskolnikov:BJ4 07/15 20:50
→ Seiya:我一直用ro去想 結果猜錯 = = 07/15 20:56
→ Seiya:回錯篇 = = 07/15 20:57
推 Seiya:這題我覺得如果1是對的 那3也不會是錯的吧 3的電流更大阿 07/15 20:59
噓 GLTY:這篇沒噓到! 怒噓! 07/15 21:06
推 wordxp0815:這題我也推3，作用區電流最大不是R最小嗎QQ 07/15 21:07
→ exceedMyself:ID-VGS圖自己推 歐姆區為小電阻 作用區ro為大電阻 07/15 21:08
推 lovewhite:你可以發在同一篇文章裡 這樣會變成在洗版 07/15 21:10
→ Seiya:這題的電阻特性是指DS端還是GS端????DS的話就是我想的沒錯吧 07/15 21:26
→ Seiya:請問ID-VGS圖要怎麼分歐姆區還夾止區?又要怎麼推電阻? 07/15 21:28
→ exceedMyself:打錯了 是ID-VDS 07/15 21:30
推 Seiya:用這圖去想 歐姆區就是從小電流變大電流 何來固定小阻抗呢? 07/15 21:35
→ Seiya:硬要說也是工作區都是大電流才有固定小阻抗吧? 07/15 21:35
推 exceedMyself:圖形斜率的倒數 你說小電流變大電流 那小電壓不也變 07/15 21:37
→ exceedMyself:大電壓 電阻不就電壓除以電流 07/15 21:37
→ exceedMyself:MOS是壓控元件 電壓改變控制電流改變 07/15 21:40
→ exceedMyself:你把電流一直變大 電壓當不變 當然錯 07/15 21:41
推 Seiya:阿...我錯了 謝謝指正!! 07/15 21:51
推 MJdavid :請附上想法 感謝 07/16 07:40
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