中華電信102機務類專(四)第一類 計概&電子學 選擇52

作者GoOnDino (Cyborg Ring)

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標題[考題] 中華電信102機務類專(四)第一類 計概&電子學 選擇52

時間Mon Jul 15 20:23:09 2013

高功率的 MOSFET 元件作為功率級開關使用，欲提高容量可作並聯接線，此RDS(on) 與溫度的特性，下列何者正確？ 1.溫度上升， RDS(on) 變小，汲極電流增加 2.溫度上升， RDS(on) 變大，汲極電流減少 3.溫度上升， RDS(on) 變小，汲極電流減少 4.溫度上升， RDS(on) 變大，汲極電流增加 答案是2. 有誰可以解釋為什麼? 感謝。 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 114.40.230.86

噓 GLTY:每題都沒有想法嗎? 07/15 20:39

噓 ericsg:不會發在同一篇喔 賺文章數也不是這樣賺的 07/15 20:40

→ opoping123:我想不會有人會慢慢跟你一一解釋MOSFET所有特性 07/15 20:45

噓 yimao:因為我有背~ 07/15 20:46

→ Seiya:你三篇文章的問題我全錯 07/15 21:01

→ exceedMyself:溫度越高 發文數越多 所以阻礙越高 電阻越大 ID越小 07/15 21:15

→ Seiya:這題我也覺得很有問題 07/15 21:18

→ Seiya:T上升 u會下降 所以K下降 I是下降的 所以人說FET不怕熱 07/15 21:19

→ Seiya:BJT的話才是I上升 IO上升 所以BJT怕熱 07/15 21:19

→ Seiya:要是說是early effect現象又是L下降 I上升 07/15 21:20

→ Seiya:怎麼選我都不會選2 電流下降?? 07/15 21:21

推 johnbrant:mobility 下降沒錯 但都不用考慮Vt嗎 07/15 22:21

推 Seiya:http://ppt.cc/eU2l 07/15 22:26

→ Seiya:其實我昏頭了@@ 07/15 22:27

推 MJdavid :請附上想法 感謝 07/16 07:40

推 QQkimi :看溫度變化Id-Vgs特性曲線圖，他說做數位開關使用 07/16 07:45

→ QQkimi :如果輸入極大，後半段的曲線斜率會下降，Rds上升 07/16 07:46

→ QQkimi :Id下降，此時的mobility下降影響比Vt下降影響大很多 07/16 07:49

→ QQkimi :如果他問的是前半段輸入較小曲線，則結果剛好會相反 07/16 07:51

→ QQkimi :此時Vt下降影響會比mobility下降影響大 07/16 07:52

→ Seiya :所以這答案算有爭議嗎? 07/16 16:33

→ johnbrant:正確來講應該是他是功率放大器,所以假設是大電壓 07/16 22:41

→ johnbrant:(Vgs-Vt)^2>>0,可以忽略Vt的影響,只考慮mobility 07/16 22:44